Фундаментальные проблемы современного материаловедения,  2014,  том 11,  №1


 

Иванов Ю.Ф.1,2, Петрикова Е.А.1, Тересов А.Д.1, Клопотов А.А.3, Иванов К.В.4

Структура системы пленка (Si)/подложка (технически чистый титан), формирующаяся в условиях облучения высокоинтенсивным импульсным электронным пучком

1Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3Томский государственный архитектурно-строительный университет, Томск, Россия
4Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия

Представлены результаты исследования структуры и свойств системы пленка (кремний)/подложка (ВТ1-0), сформированной и облученной электронным пучком в едином вакуумном цикле на установке «СОЛО». Выполнены исследования и выявлен режим облучения, позволяющий формировать многослойный композитный материал Ti (основа) / Ti5Si3 (поверхностный слой), представляющий особый интерес как жаропрочный легкий материал вследствие формирования высокотемпературного (Тпл = 2400 К) силицида титана состава Ti5Si3.

Ключевые слова: пленка/подложка, кремний, титан, электронно-пучковая обработка, фазовый состав, структура, свойства.

УДК 533.9:539.4.015.2

Сведения об авторах:
Иванов Юрий Федорович, д.ф.-м.н., профессор, в.н.с. ИСЭ СО РАН, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Петрикова Елизавета Алексеевна, асп. ИСЭ СО РАН, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Тересов Антон Дмитриевич, м.н.с. ИСЭ СО РАН, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Клопотов Анатолий Анатолиевич, д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой ТГАСУ, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Иванов Константин Вениаминович, к.ф.-м.н., с.н.с. ИФПМ СО РАН, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript


 

Fundamental’nye problemy sovremennogo materialovedenia

(Basic Problems of Material Science (BPMS)) Vol. 11, No.1 (2014)

 

Ivanov Yu.F.1,2, Petrikova E.A.1, Teresov A.D.1, Klopotov A.A.3, Ivanov K.V.4

Structure of film (Si)/substrate (technically pure titan) system formed under conditions of high-intensity pulsed electron beam irradiation

1Institute of High Current Electronics SB RAS, Tomsk, Russia
2Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia
3Tomsk State University of Architecture and Building, Tomsk, Russia
4Institute of Strength Physics and Materials Science SB RAS, Tomsk, Russia

The results of the structure and properties studies of the film (silicon)/substrate (VT1-0) system formed and irradiated by an electron beam in a single vacuum cycle on the "Solo" setup are presented. The studies and mode of irradiation allowing to form a multilayer composite Ti (base)/Ti5Si3 (surface layer) of particular interest as easy and refractory material due to formation of high-temperature (Tm = 2400 K) titanium silicide Ti5Si3 was obtained.

Keywords: the film/substrate, silicon, titanium, electron beam treatment, phase composition, structure, properties.

Information about authors:
Ivanov Yuriy Fedorovich, PhD, Hab., professor, IHCE SB RAS senior researcher, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Petrikova Elizaveta Alekseevna
, IHCE SB RAS graduate student, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Teresov Anton Dmitrievich
, IHCE SB RAS junior researcher, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Klopotov Anatoliy Anatolievich
, PhD, Hab., professor, TSUAB head of department, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Ivanov Konstantin Veniaminovich
, PhD, ISPMS SB RAS senior researcher, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript